吉安材料物理性能/材料化學(xué)成分化驗(yàn)員培訓(xùn)資格證書培訓(xùn)
2.材料科學(xué)中的三大基礎(chǔ)材料是什么?
3.簡(jiǎn)述無(wú)機(jī)非金屬材料的特點(diǎn)。
化學(xué)鍵 主要是離子鍵、共價(jià)鍵或離子共價(jià)混合鍵。
基本屬性 化學(xué)穩(wěn)定性高、電絕緣性好、高熔點(diǎn)、高強(qiáng)度、高硬度、耐腐蝕、耐磨損、耐高溫、抗氧化性好、韌性差等。
物理性能 許多無(wú)機(jī)非金屬材料有寬廣的導(dǎo)電性、鐵磁性、壓電性、磁致伸縮、鐵電性、光電、電光、透紅外、生物相容性等性能特點(diǎn)。
一、材料物理性能檢驗(yàn)員/材料化學(xué)成分檢驗(yàn)員培訓(xùn)對(duì)象
從事材料物理性能檢驗(yàn)和材料成分分析的人員;包括從事鋼鐵,銅合金,鋁合金,礦物及硅酸鹽等材料的成分分析的檢驗(yàn)崗位的人員。
二、材料物理性能檢驗(yàn)員/材料化學(xué)成分檢驗(yàn)員發(fā)證機(jī)構(gòu)
中國(guó)計(jì)量測(cè)試學(xué)會(huì)頒發(fā),證書終身有效,無(wú)須年審,全國(guó)通用,官網(wǎng)可查。隨時(shí)網(wǎng)上提交報(bào)名資料,現(xiàn)面向全國(guó)招生,費(fèi)用低,直接報(bào)名,詳情請(qǐng)加老師微信132 5350 3507 。
三、材料物理性能檢驗(yàn)員/材料化學(xué)成分檢驗(yàn)員培訓(xùn)費(fèi)用
初級(jí)1400元/人,中級(jí)1600元/人,高級(jí)1800元/人(含資料費(fèi)、培訓(xùn)費(fèi)、證書費(fèi))。
四、材料物理性能檢驗(yàn)員/材料化學(xué)成分檢驗(yàn)員培訓(xùn)
XPS的工作原理是什么?
XPS原理是用單色的X射線照射樣品時(shí),具有一定能量的入射光子(能量為1000~1500 eV)與樣品表面的原子相互作用,光致電離產(chǎn)生了光電子,樣品分析的深度為2 nm。這些光電子從產(chǎn)生之處輸運(yùn)到表面,然后再克服逸出功而發(fā)射。
13.掃描隧道顯微鏡的工作原理是什么?
在STM中,用一個(gè)具有極細(xì)針尖的探針去接近樣品表面。
當(dāng)針尖與樣品表面的距離很小(小于1 nm)時(shí),針尖頭部原子與樣品表面原子的電子云發(fā)生重疊。在針尖和樣品之間的偏電壓作用下,電子便會(huì)通過(guò)針尖和樣品構(gòu)成的勢(shì)壘而形成隧道電流。
利用電子反饋電路來(lái)控制隧道電流,使針尖與樣品表面的間距恒定,并控制針尖沿表面進(jìn)行精確的三維運(yùn)動(dòng)。也就是用針尖在樣品表面掃描,那么針尖在垂直于樣品方向上高低的變化就反映出樣品表面的起伏。
五、材料物理性能檢驗(yàn)員/材料化學(xué)成分檢驗(yàn)員培訓(xùn)
材料性質(zhì)是晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的反應(yīng)
晶體結(jié)構(gòu)概述
1.原子晶體結(jié)構(gòu)
代表:惰性氣體 結(jié)構(gòu)特點(diǎn):以單原子分子形式存在,滿電子層結(jié)構(gòu),不形成化學(xué)鍵,且具有球形
對(duì)稱結(jié)構(gòu);惰氣通過(guò)范
德華力凝聚成晶體,原
子配置近似"鋼球"密堆
積:FCC or HCP
六、材料物理性能檢驗(yàn)員/材料化學(xué)成分檢驗(yàn)員培訓(xùn)
形成腐蝕電池必須具備哪些條件?
a. 有電位差存在:電位差越大,腐蝕越強(qiáng)烈。較活潑金屬的電位低,易于受腐蝕;
b. 有電解質(zhì)溶液:金屬表面有水膜時(shí),空氣中的污染物SO2溶于水膜中,生成H2SO3或H2SO4,其pH值可達(dá)3.0~3.5。人體汗水中鹽分含量為0.5~2.5%;
c. 具有不同電位的兩部分金屬之間有導(dǎo)線連接或直接接觸。
特點(diǎn):帶隙較大(>1.1 eV),可耐受較大功率,工作溫度高;大多為直接躍遷型能帶,光電轉(zhuǎn)換效率高,適合于制作光電器件;電子遷移效率高,適合于制作高頻、高速器件。
GaAs晶體為閃鋅礦結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)a=5.65 Å,呈亮灰色,有金屬光澤,質(zhì)硬而脆,熔點(diǎn)為1238 ℃,600 ℃以下能夠在空氣中穩(wěn)定存在,不為非氧化性的酸侵蝕。
17.GaAs IC和Si IC相比,有哪些性能特點(diǎn)?
18.簡(jiǎn)述GaN半導(dǎo)體材料重要的應(yīng)用價(jià)值。
GaN作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體的典型代表,具有禁帶寬度大(Eg=3.4 eV)、擊穿電場(chǎng)高、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)異特性。
材料物理性能檢驗(yàn)員/材料化學(xué)成分檢驗(yàn)員培訓(xùn)
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材料物理性能檢驗(yàn)員,材料化學(xué)檢驗(yàn)員
金相檢驗(yàn)員培訓(xùn)
化驗(yàn)員資格證書
對(duì)金屬、高分子等材料的力學(xué)性能進(jìn)行檢驗(yàn)、檢查、測(cè)試、實(shí)驗(yàn)的人員(使用材料檢驗(yàn)儀器設(shè)備、對(duì)金屬、非金屬、高分子等材料的成品、半成品、原材料的物理、力學(xué)和機(jī)械性能進(jìn)行檢驗(yàn)、檢查、測(cè)試、實(shí)驗(yàn)的人員;使用材料檢驗(yàn)儀器設(shè)備測(cè)試材料的拉力、扭力、沖力、彎曲、疲勞、硬度、導(dǎo)電等物理化學(xué)和機(jī)械性能)。
更新時(shí)間:2024/8/16 8:46:57
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